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硅晶片內(nèi)部檢查和背面圖案的觀察用近紅外鹵素光源

發(fā)布時間：2021-11-09　點(diǎn)擊量：733

硅晶片內(nèi)部檢查和背面圖案的觀察用近紅外鹵素光源

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SIS-150 (-NIR / -AIR)
近紅外線照射裝置

在近紅外線區(qū)域有峰值的光纖光源裝置。
通過與專用光學(xué)系統(tǒng)和對近紅外區(qū)域敏感的相機(jī)一起使用，它
非常適合無損檢測，例如硅晶片的內(nèi)部檢查和背面圖案的觀察。

專用選件
* 可安裝波長選擇帶通濾波器
*可安裝機(jī)械快門
*可安裝256 級數(shù)字調(diào)光板
　* Anadigi 調(diào)光板（控制電壓（0-5V））
　* 并行調(diào)光板（并行 8bit 數(shù)字信號） ))
　* 串口調(diào)光板（RS232C串口8bit數(shù)字信號）
模型SIS-150-NIRSIS-150-空氣
額定輸入電壓AC100-240VAC100-240V
額定輸入頻率50 / 60Hz50 / 60Hz
照明方式直流照明方式直流照明方式
光強(qiáng)調(diào)節(jié)可變輸出電壓 可變
電壓范圍：DC2V 至 15V
可變光強(qiáng)范圍：0.1% 至 100%		可變輸出電壓 可變
電壓范圍：DC2V 至 15V
可變光強(qiáng)范圍：0.1% 至 100%
保護(hù)功能過流保護(hù)電路（重新上電
恢復(fù)） 過熱保護(hù)電路（自動恢復(fù)）		過流保護(hù)電路（重新上電
恢復(fù)） 過熱保護(hù)電路（自動恢復(fù)）
冷卻方式強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻
工作溫度/濕度0°C-40°C/20%-80%RH（但不結(jié)露）0°C-40°C/20%-80%RH（但不結(jié)露）
功能燈管燒毀信號輸出：集電極開路/發(fā)射器
模擬信號電壓調(diào)光：DC0至5V輸入
遠(yuǎn)程燈開/關(guān)：通過施加DC5V關(guān)閉		燈管燒毀信號輸出：集電極開路/發(fā)射器
模擬信號電壓調(diào)光：DC0至5V輸入
遠(yuǎn)程燈開/關(guān)：通過施加DC5V關(guān)閉
外形尺寸W124 x H165 x D224 mm（不包括突出部分的尺寸）W124 x H165 x D224 mm（不包括突出部分的尺寸）
重量約2.7kg約2.7kg
照射波長400-1100nm400-1700nm
峰值波長800納米1000納米
光導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格專用耐熱光導(dǎo)